硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片產(chǎn)品具有高速切換，高延時精度，超小尺寸,超寬帶工作,全固態(tài)波導芯片可靠性強等特性。主要用于光控相控陣雷達系統(tǒng)、電子對抗系統(tǒng)等領(lǐng)域
梓冠光電的單片集成多比特光延時芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導延時回路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時態(tài)切換速度達到1μs以下，硅波導延時使其延時精度提升1個量級，厚膜SOI硅光技術(shù)使其光損耗達到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
一、硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片特性
高速切換
高延時精度
超小尺寸
超寬帶工作
全固態(tài)波導芯片可靠性強
二、硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片應(yīng)用領(lǐng)域
光控相控陣雷達系統(tǒng)、電子對抗系統(tǒng)
三、硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片規(guī)格參數(shù)
| 性能指標 | 單位 | 典型值 | 備注 |
| 延時位數(shù) | / | 7 | 可定制 |
| 最小延時步進 | ps | 2 | 可定制 |
| 可調(diào)節(jié)最大延時量 | ps | 254 | |
| 延時偏差 | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
| 延時切換時間 | μs | ≤1 | |
| 插入損耗 | dB | 14 | |
| 各延時態(tài)損耗差異 | dB | ±0.5 | |
| 回波損耗 | dB | 45 | |
| 芯片尺寸 | mm | 19×11×0.7 |
〖電管腳定義 Pin definition〗
〖芯片尺寸（單位：mm）Chip dimension(Unit:mm)〗
四川梓冠光電生產(chǎn)的硅基器件芯片系列包括：硅基單片集成 9bit 可調(diào)光延遲線芯片、硅基單片集成 7bit 可調(diào)光延時器芯片、單片集成 6 比特光延時芯片、SOI芯片可調(diào)光濾波器陣列、SOI芯片光電探測器陣列、SOI高速多通道光衰減器、SOI高速光開關(guān)陣列等，歡迎咨詢！
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