SOI高速光開關(guān)陣列,該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換,實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動(dòng),偏振相關(guān)性小,插入損耗低。
SOI高速光開關(guān)陣列特性
SOI高速光開關(guān)陣列規(guī)格參數(shù)
參數(shù)指標(biāo) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 備注 |
波長(zhǎng)范圍 | nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm | |||
消光比 | dB | 19 | 20 | 22 | |
插入損耗 | dB | 1.6 | 1.8 | 2.0 | |
回波損耗 | dB | 40 | 50 | ||
偏振相關(guān)損耗 | dB | 0.3 | 0.5 | ||
驅(qū)動(dòng)電壓 | V | 0.9 | 1 | 1.2 | @300ns |
驅(qū)動(dòng)電流 | mA | 6 | 7 | 9 | @300ns |
芯片級(jí)響應(yīng)時(shí)間 | ns | 30 | 300 | ||
熱調(diào)功耗 | mW | 30 | 50 | ||
通道數(shù) | 8—16或可定制 | ||||
光功率 | mW | 80 | |||
工作溫度范圍 | °C | -20 | 50 | ||
工作濕度范圍 | % | +65 | |||
尺寸 | mm | 芯片:20(L)×3 (W)×0.5(H) | 可定制 | ||
器件:90(L)x50(W)x13(H) |
芯片尺寸
器件尺寸
四川梓冠光電SOI高速光開關(guān)陣列訂貨信息
ZG | 波長(zhǎng) | 通道數(shù) | 類型 |
13=1310nm 15=1550nm | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH XX=other | 1=不帶熱調(diào) 2=帶熱調(diào) XX=other |