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SOI芯片光延時(shí)線
SOI芯片光延時(shí)線具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)等特點(diǎn)，主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域
產(chǎn)品咨詢
詳細(xì)信息

SOI芯片光延時(shí)線

一、SOI芯片光延時(shí)線的定義
SOI芯片式低偏振相關(guān)損耗可調(diào)光延時(shí)線，該產(chǎn)品基于級(jí)聯(lián)的高速光開(kāi)關(guān)和延時(shí)光路組成，實(shí)現(xiàn)大量程、高精度量化可調(diào)光延時(shí)線的片上集成，本產(chǎn)品通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了超低偏振相關(guān)性損耗，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
二、SOI芯片光延時(shí)線的特點(diǎn)
多通道
高集成度芯片化
高速響應(yīng)
三、SOI芯片光延時(shí)線的應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達(dá)

四、SOI芯片光延時(shí)線的性能指標(biāo)

    參數(shù)指標(biāo)
單位最小值典型值最大值
    波長(zhǎng)范圍
nm
1530nm-1570nm  or  1270nm-1330nm
    單級(jí)熱調(diào)功耗
mW


100
    單級(jí)電調(diào)功耗
mW


10
    光纖接入損耗
dB


12@9 bit
    偏振相關(guān)損耗
dB


0.5
    延時(shí)量精度
ps


30@2048 pS
    延遲步進(jìn)
ps
2
    平坦度
dB
<0.5 dB@2048 pS
    響應(yīng)速率
Hz
>20kHz@熱調(diào)試模式，>10MHz@電調(diào)模式
    最大延時(shí)量
ps
1024/2048 或可定制
    延時(shí)量量化位數(shù)
bit
10或可定制
    通道數(shù)

1或可定制
    工作溫度范圍
℃
-20

50
    工作濕度范圍
%


+65
    芯片尺寸
mm
8.1(L)x2.3(W)x0.5(H)

五、SOI芯片光延時(shí)線的芯片尺寸

六、四川梓冠光電SOI芯片光延時(shí)線訂貨信息

波長(zhǎng)類型通道數(shù)
13=1310nm
15=1550nm
10-2048=10 bit，2048 ps
XX=other
1=1CH，4=4CH，8=8CH，16=CH
48=48CH，XX=0ther


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