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SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列
SOI芯片式光電探測(cè)器陣列具有多通道，高集成度芯片化，大模擬帶寬等特性，主要應(yīng)用于光纖傳感，光纖通信，激光雷達(dá)等領(lǐng)域
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詳細(xì)信息

SOI芯片光電探測(cè)器陣列-混頻光電探測(cè)器陣列


SOI芯片式光電探測(cè)器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列特性

  • 多通道
  • 高集成度芯片化
  • 大模擬帶寬
SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列應(yīng)用領(lǐng)域
  • 光纖傳感
  • 光纖通信
  • 激光雷達(dá)

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列規(guī)格參數(shù)

    參數(shù)指標(biāo)單位最小值典型值最大值
    波長(zhǎng)范圍
nm
1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
    暗電流
nA


30@-1V,
    3dB 模擬帶寬
GHz


30@-2V
    光飽和功率
mW
10


    響應(yīng)度
A/W
0.8


    90度光學(xué)混頻器損耗
dB
66.56.7
    90度光學(xué)混頻器相位失衡度
°
5

    通道數(shù)

1,2,3,4,5 或可定制
    光纖接入損耗
dB
≤1.5
    偏振相關(guān)損耗
dB
≤0.5
    工作溫度范圍
℃
-20
50
    工作濕度范圍
%


+65
    芯片尺寸
mm

陣列式光電探測(cè)器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH

陣列式混頻探測(cè)器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH

4 通道混頻探測(cè)器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H)


SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列芯片尺寸

芯片尺寸1


芯片尺寸2


四川梓冠光電SOI芯片光電探測(cè)器陣列訂貨信息

ZG波長(zhǎng)
通道數(shù)
類型
13=1310nm
15=1550nm
1=1CH
4=4CH
8=8CH
16=CH
48=48CH
XX=other
1=光電探測(cè)器
1=PD
2=混頻器
2=Mixer
XX=other

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